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I对话管理 (DM Dialog Management) 化合物半导体战线扩大,正转向 8 英寸晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)厂

2022-12-23 【网站维护

12月22日消息,据 DIGITI(TI TexasInstrumentsInc德州仪器)MES 报道,尽管 2022 年消费电子终端市场充斥库存调整等不确定性(Uncertainty),但电力电子半导体需求在未来车、服务器领域的应用却是愈来愈广,持续推动第三类半导体如碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)等功率元件需求

I对话管理 (DM Dialog Management) 龙头包括罗姆(Rohm)、安森美(Onsemi)、英飞凌(Infineon)(Infineon(Infineon 亿恒,英飞凌))、意法半导体(STM,STMicroelectronics)(STM(STM STMicroelectronics意法半导体))、Wolfspeed 等,将把化合物半导体战线从主流的 6 英寸拉往 8 英寸晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)厂,追求成本、产能、效能的新一波战火正逐渐酝酿中。

这几天各大 I对话管理 (DM Dialog Management) 业者化合物半导体陆续打入车用、服务器冲电领域。如罗姆第四代 SiC MO顺丰(SF)ET 与闸极驱动 IC,正式打入日本(Japan)车用供应链如日立(Hitachi)安斯泰莫,应用于电动车(EV)逆变器。

当下,据网站(网站维护)分析,罗姆 2010 年开始就已量产 SiC MO顺丰(SF)ET,相较于主流的矽基 IGBT,电耗可减少 6%,有助于 EV 续行里程。

相关业者表示,车用功率半导体目前仍是相对供需吃紧的部分,也使得台系二极管厂无不积极提升(Boosting)车用、工控产品比重。台系功率元件业者包括强茂、台半、德微等。

业者表示,E 宽能隙(WBG)的第三类半导体因为高功率密度特性,有助于建构更高效能、体积更小更轻的 EV 电动动力总成系统,SiC 最主要的应用范畴,就在核心的车用逆变器

据网站(网站维护)多年来观察到,至于 GaN 充电元件更可从成熟的矽基制程出发,矽基氮化镓(GaN-on-Si)将是最有机会快速放大到 8 英寸甚至 12 英寸的技术,除 I对话管理 (DM Dialog Management) 龙头大举进军外,台系晶圆(晶圆是指制作硅半导体电路所用的硅晶片,其原始材料是硅)代工厂世界先进 GaN-on-QST 技术也已逐步完备。

IC 代理业者表示,公有云、私有云快速成长,以及数据中心大量的建设,对服务器电源性能有更高需求,具有高功率密度的 GaN 元件成为服务器电源首选方案之一。

如安森美携手 IC 代理龙头大联大推出 500W 服务器电源方案,其中就是采用 GaN 元件。

上游磊芯片(半导体芯片)大厂 IQE 8 英寸化合物半导体磊芯片(半导体芯片)已经量产,后续不排除更往 12 英寸推进,IQE首席执行官(CEO)Americo Lemos 认为,「化合物半导体将从利基走向主流」。

GaN、SiC 同步往 8 英寸推进已经是未来趋势,在各界关注的 8 英寸厂布局,罗姆、Wolfspeed、II-VI,意法等都积极进行中。值得一提的是,观察供应链与终端系统厂看法,各界通常都还是会问及「价格策略」,何时能够达到与矽基半导体同等的性价比。

 

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